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IPB03N03LB G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 2145
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

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IPB03N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.8 毫歐 @ 55A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：59nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：7624pF @ 15V
功率 - 最大：150W
安裝類型：表面貼裝

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