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IPB03N03LA G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 1215  
說明:
 MOSFET N-CH 25V 80A
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IPB03N03LA G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:8.5 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :112 S / 56 S
下降時間:7.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB03N03LA G的詳細信息,包括IPB03N03LA G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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