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IPB039N10N3GE818XT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數量：: 4113
說明：: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

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IPB039N10N3GE818XT PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：E8187 G IPB039N10N3 IPB039N10N3GE8187ATMA1
典型關閉延遲時間：38 ns
上升時間：5.4 ns
功率耗散：94 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：59 nC
下降時間：6 ns
封裝形式：PG-TO263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.9 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

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