日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPB010N06N

IPB010N06N

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-7
數(shù)量：: 3798
說明：: MOSFET 60V TO-263

一、本商品被瀏覽0次.

IPB010N06N PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：74 ns
上升時間：36 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：208 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：310 S / 160 S
下降時間：23 ns
封裝形式：TO-263-7
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1 mOhms
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB010N06N的詳細信息，包括IPB010N06N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：