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IKD10N60RAATMA2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數(shù)量：: 8433
說(shuō)明：: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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IKD10N60RAATMA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：62 ns
測(cè)試條件：400V，10A，23 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：14ns/192ns
柵極電荷：64 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：150 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：30 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：溝道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：TrenchStop?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IKD10N60RAATMA2的詳細(xì)信息，包括IKD10N60RAATMA2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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