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IKB03N120H2ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 6111
說明：: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

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IKB03N120H2ATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：42 ns
測試條件：800V，3A，82 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：9.2ns/281ns
柵極電荷：22 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：290μJ
功率 - 最大值：62.5 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：9.9 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：9.6 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IKB03N120H2ATMA1的詳細(xì)信息，包括IKB03N120H2ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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