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IDK02G120C5XTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-2-1
數(shù)量：: 3015
說明：: DIODE SIC 1.2KV 11.8A TO263-1

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IDK02G120C5XTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-TO263-2-1
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：182pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：18 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.65 V @ 2 A
電流 - 平均整流 (Io)：11.8A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolSiC?+
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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