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HGT1S20N36G3VLS

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263AB-3
數(shù)量:
 5715  
說明:
 IGBT 晶體管 20A 360V Clamp
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HGT1S20N36G3VLS-TO-263AB-3圖片

HGT1S20N36G3VLS PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:37.7 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263AB-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:50 W
柵極—射極漏泄電流:1000 uA
在25 C的連續(xù)集電極電流:29 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 10 V
集電極—射極飽和電壓:1.3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:395 V
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S20N36G3VLS的詳細信息,包括HGT1S20N36G3VLS廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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