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HGT1S10N120BNS

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 1215  
說明:
 IGBT 晶體管 35A 1200V NPT N-Ch
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HGT1S10N120BNS-D2PAK(TO-263)圖片

HGT1S10N120BNS PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:35 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263AB-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:298 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:35 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S10N120BNS的詳細信息,包括HGT1S10N120BNS廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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