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GT50JR22(STA1,E,S)

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-3P（N）
數(shù)量：: 897
說(shuō)明：: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

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GT50JR22(STA1,E,S) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：-
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：-
柵極電荷：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：-
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，50A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：100 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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