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GT50J121(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P（LH）
數(shù)量：: 1179
說明：: IGBT 晶體管 600V/50A DIS

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GT50J121(Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：100
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：50 A
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P
最大工作溫度：+ 150 C
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：Toshiba

以上是GT50J121(Q)的詳細信息，包括GT50J121(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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