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GT40WR21,Q

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-3P(N)
數(shù)量:
 945  
說明:
 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
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GT40WR21,Q-TO-3P(N)圖片

GT40WR21,Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
安裝類型:通孔
工作溫度:175°C(TJ)
反向恢復(fù)時間 (trr):-
測試條件:-
25°C 時 Td(開/關(guān))值:-
柵極電荷:-
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:-
功率 - 最大值:375 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):5.9V @ 15V,40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):80 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1350 V
IGBT 類型:-
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:托盤
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT40WR21,Q的詳細(xì)信息,包括GT40WR21,Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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