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GT20J341,S4X(S

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數(shù)量：: 909
說(shuō)明：: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

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GT20J341,S4X(S PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3 整包
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：90 ns
測(cè)試條件：300V，20A，33 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：60ns/240ns
柵極電荷：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：500μJ（開），400μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：45 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：80 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT20J341,S4X(S的詳細(xì)信息，包括GT20J341,S4X(S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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