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GA06JT12-247

廠家：
  GeneSiC Semiconductor
封裝：
 TO-247-3
數(shù)量：
 4113  
說明：
 JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
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GA06JT12-247-TO-247-3圖片

GA06JT12-247 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

電阻汲極/源極 RDS（導通）：220 mOhms
功率耗散：9 W
最大工作溫度：+ 175 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AB
安裝風格：Through Hole
配置：Single
漏極連續(xù)電流：6 A
漏源電壓 VDS：1200 V
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）：300 nA
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor

以上是GA06JT12-247的詳細信息，包括GA06JT12-247廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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