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FZ2000R33HE4BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: AG-IHVB190-3
數(shù)量：: 5806
說明：: IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

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FZ2000R33HE4BOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：280 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：5 mA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，2kA（標(biāo)準(zhǔn)）
功率 - 最大值：4.2 mW
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2000 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3300 V
配置：單開關(guān)
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：IHM-B
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FZ2000R33HE4BOSA1的詳細(xì)信息，包括FZ2000R33HE4BOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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