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FSEZ1216BNY

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 DIP-8
數(shù)量:
 603  
說明:
 MOSFET Prim Side Contr PWM Contr w/Power MOSFET
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FSEZ1216BNY-DIP-8圖片

FSEZ1216BNY PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數(shù)量:59
功率耗散:800 mW
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Tube
封裝形式:DIP-8
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 105 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):9.3 Ohms
漏極連續(xù)電流:1 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FSEZ1216BNY的詳細信息,包括FSEZ1216BNY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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