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FQU2N60CTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 3924
說明：: MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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FQU2N60CTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數(shù)量：70
上升時間：25 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時間：28 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.7 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU2N60CTU的詳細信息，包括FQU2N60CTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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