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FQU12N20LTU

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 IPAK
數(shù)量：
 3312  
說明：
 MOSFET
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FQU12N20LTU-IPAK圖片

FQU12N20LTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：60 ns
上升時(shí)間：190 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：120 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.28 Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU12N20LTU的詳細(xì)信息，包括FQU12N20LTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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