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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FQA19N20C

FQA19N20C

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 4248
說明：: MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

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FQA19N20C PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FQA19N20C_NL
典型關(guān)閉延遲時間：135 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時間：150 ns
功率耗散：180 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：10.8 S
下降時間：115 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.17 Ohms
漏極連續(xù)電流：21.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA19N20C的詳細(xì)信息，包括FQA19N20C廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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