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FQA10N80C_F109

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3PN
數(shù)量：: 4468
說明：: MOSFET 800V N-Ch QFET Advance

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FQA10N80C_F109 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：90 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時間：130 ns
功率耗散：240 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：80 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3PN
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.1 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA10N80C_F109的詳細信息，包括FQA10N80C_F109廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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