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FGPF30N30

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220F-3
數(shù)量:
 7434  
說明:
 IGBT 晶體管 300V 30A PDP IGBT
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FGPF30N30-TO-220F-3圖片

FGPF30N30 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
安裝風(fēng)格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220F-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:46 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 30 V
集電極—射極飽和電壓:1.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:300 V
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FGPF30N30的詳細(xì)信息,包括FGPF30N30廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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