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FDV303N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 7965
說明：: MOSFET N-Ch Digital

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FDV303N_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：17 ns
上升時(shí)間：8.5 ns
功率耗散：0.35 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1.45 S
下降時(shí)間：8.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.45 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.68 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDV303N_Q的詳細(xì)信息，包括FDV303N_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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