日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDU6696_Q

FDU6696_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-251
數(shù)量：: 7902
說(shuō)明：: MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

一、本商品被瀏覽0次.

FDU6696_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：27 ns
上升時(shí)間：4 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.008 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU6696_Q的詳細(xì)信息，包括FDU6696_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：