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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDU3580_Q

FDU3580_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-251
數(shù)量：: 7767
說明：: MOSFET 80V N-Ch PowerTrench

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FDU3580_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：34 ns
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：16 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.029 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU3580_Q的詳細(xì)信息，包括FDU3580_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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