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FDT55AN06LA0

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-261-4，TO-261AA
數(shù)量：
 531  
說明：
 MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
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FDT55AN06LA0-TO-261-4，TO-261AA圖片

FDT55AN06LA0 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：24 ns
功率耗散：8.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.046 Ohms
漏極連續(xù)電流：12.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDT55AN06LA0的詳細(xì)信息，包括FDT55AN06LA0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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