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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDMS4435BZ

FDMS4435BZ

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-PQFN（5x6）
數(shù)量：: 6210
說明：: MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMS4435BZ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：39 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：25 S
包裝形式：Reel
封裝形式：Power 56
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：20 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 9 A
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDMS4435BZ的詳細信息，包括FDMS4435BZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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