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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDMB506P

FDMB506P

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
數(shù)量：: 1467
說明：: MOSFET LOW_VOLTAGE

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FDMB506P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：175 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：30 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：6.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 6.8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDMB506P的詳細(xì)信息，包括FDMB506P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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