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FDMB3800N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
數(shù)量：: 14955
說明：: MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

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FDMB3800N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：14 S
下降時(shí)間：5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.032 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDMB3800N的詳細(xì)信息，包括FDMB3800N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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