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FDI33N25TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 540
說明：: MOSFET TBD

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FDI33N25TU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：75 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：230 ns
功率耗散：235 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：26.6 S
下降時間：120 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.077 Ohms
漏極連續(xù)電流：33 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI33N25TU的詳細信息，包括FDI33N25TU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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