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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDI2532_Q

FDI2532_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 5742
說明：: MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

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FDI2532_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：39 ns
上升時間：30 ns
功率耗散：310 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.016 Ohms
漏極連續(xù)電流：79 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI2532_Q的詳細(xì)信息，包括FDI2532_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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