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FDI2532

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
數(shù)量：
 531  
說(shuō)明：
 MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
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FDI2532-TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA圖片

FDI2532 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：30 ns
功率耗散：310 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.016 Ohms
漏極連續(xù)電流：79 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI2532的詳細(xì)信息，包括FDI2532廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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