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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDI025N06

FDI025N06

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 486
說明：: MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

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FDI025N06 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：348 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：324 ns
功率耗散：395 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：250 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0025 Ohms
漏極連續(xù)電流：265 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI025N06的詳細(xì)信息，包括FDI025N06廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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