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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDC6301N_Q

FDC6301N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 4365
說明：: MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

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FDC6301N_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：4 ns
上升時(shí)間：4.5 ns
功率耗散：0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.25 S
下降時(shí)間：4.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.8 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.22 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6301N_Q的詳細(xì)信息，包括FDC6301N_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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