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首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDC5612-G

FDC5612-G

廠家：: onsemi
封裝：: SuperSOT?-6
數(shù)量：: 6624
說(shuō)明：

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FDC5612-G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：800mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：18 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：55 毫歐 @ 4.3A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.3A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：PowerTrench?
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是FDC5612-G的詳細(xì)信息，包括FDC5612-G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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