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FDB10AN06A0

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 2736  
說明:
 MOSFET N-Channel PowerTrench
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FDB10AN06A0-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

FDB10AN06A0 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:27 ns
工廠包裝數量:800
上升時間:128 ns
功率耗散:135 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:36 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263AB
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0095 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB10AN06A0的詳細信息,包括FDB10AN06A0廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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