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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDAF59N30

FDAF59N30

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3PF
數(shù)量：: 2457
說明：: MOSFET 300V 34A NCH MOSFET

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FDAF59N30 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：120 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時間：575 ns
功率耗散：161 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：52 S
下降時間：200 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3PF
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.056 Ohms
漏極連續(xù)電流：34 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDAF59N30的詳細信息，包括FDAF59N30廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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