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FDA20N50

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P
數(shù)量:
 2268  
說明:
 MOSFET 500V NCH MOSFET
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FDA20N50-TO-3P圖片

FDA20N50 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:100 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時間:375 ns
功率耗散:280 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:105 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.23 Ohms
漏極連續(xù)電流:22 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDA20N50的詳細信息,包括FDA20N50廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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