日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 無源元件 > 電容器 > 薄膜電容器 > F1778433M3IBT0

F1778433M3IBT0

廠家：: Vishay/Roederstein
封裝：: 徑向
數(shù)量：: 4599
說明：: 薄膜電容器

一、本商品被瀏覽0次.

F1778433M3IBT0 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
特性：-
等級(jí)：X2
應(yīng)用：EMI，RFI 抑制
引線間距：0.886（22.50mm）
端接：PC 引腳
高度 - 安裝（最大值）：0.610（15.50mm）
大小 / 尺寸：1.024 長 x 0.236 寬（26.00mm x 6.00mm）
封裝/外殼：徑向
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 110°C
ESR（等效串聯(lián)電阻）：-
介電材料：聚丙烯（PP），金屬化
額定電壓 - DC：630V
額定電壓 - AC：310V
容差：±20%
電容：0.33 μF
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：F1778X2
系列：托盤
品牌：Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

以上是F1778433M3IBT0的詳細(xì)信息，包括F1778433M3IBT0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電容器產(chǎn)品：

云母電容器硅電容器陶瓷電容器鉭電容器超級(jí)電容/超級(jí)電容器

薄膜電容器最新產(chǎn)品：