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DMN26D0UFB4-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: 3-XFDFN
數(shù)量：: 33838
說(shuō)明：: MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan

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DMN26D0UFB4-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 ns
功率耗散：350 mW
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.242 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DFN1006
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.8 Ohms
漏極連續(xù)電流：230 mA
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN26D0UFB4-7的詳細(xì)信息，包括DMN26D0UFB4-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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