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DF200R12W1H3B27BOMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 6084
說明：: IGBT MOD 1200V 30A 375W

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DF200R12W1H3B27BOMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：2 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.3V @ 15V，30A
功率 - 最大值：375 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：2 個(gè)獨(dú)立式
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是DF200R12W1H3B27BOMA1的詳細(xì)信息，包括DF200R12W1H3B27BOMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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