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DF120R12W2H3B27BOMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 模塊
數(shù)量:
 6111  
說明:
 IGBT MOD 1200V 50A 180W
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DF120R12W2H3B27BOMA1-模塊圖片

DF120R12W2H3B27BOMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻:是
輸入:標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):2.35 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值:180 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):50 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
配置:三相反相器
IGBT 類型:-
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies

以上是DF120R12W2H3B27BOMA1的詳細信息,包括DF120R12W2H3B27BOMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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