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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > CXDM6053N TR

CXDM6053N TR

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: SOT-89
數(shù)量：: 531
說明：: MOSFET SMD Small Sig Mosfet NCh Enh Mode Hi Crnt

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CXDM6053N TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：1.2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8.8 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-89
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：52 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.3 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

以上是CXDM6053N TR的詳細信息，包括CXDM6053N TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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