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CTLDM303N-M832DS TR

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TLM832DS
數(shù)量：: 4185
說明：: MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual N-Ch Enhanced

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CTLDM303N-M832DS TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：1.65 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：11.8 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TLM832DS
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.04 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.6 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

以上是CTLDM303N-M832DS TR的詳細(xì)信息，包括CTLDM303N-M832DS TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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