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CTA2P1N-7

廠家：
  Diodes Inc.
封裝：
 -
數(shù)量：
 6155  
說明：
 兩極晶體管 - BJT PNP-TRANS N-CH MFET
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CTA2P1N-7--圖片

CTA2P1N-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：150 mW
直流電流增益 hFE 最大值：300
集電極連續(xù)電流：- 600 mA
封裝形式：SOT-363
安裝風格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
集電極—射極飽和電壓：- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 40 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 40 V
晶體管極性：PNP, N-Channel
配置：Dual
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是CTA2P1N-7的詳細信息，包括CTA2P1N-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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