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CSD19531Q5A

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-VSONP（5x6）
數(shù)量：: 5319
說明：: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

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CSD19531Q5A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3870 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：48 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.4 毫歐 @ 16A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：NexFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Texas Instruments

以上是CSD19531Q5A的詳細(xì)信息，包括CSD19531Q5A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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