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BSP170PE6327T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數(shù)量：: 8010
說明：: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

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BSP170PE6327T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：300 毫歐 @ 1.9A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.9A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：410pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

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