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BSP149 E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-261-4，TO-261AA
數(shù)量：: 7938
說明：: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

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BSP149 E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：耗盡模式
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.8 歐姆 @ 660mA, 10v
漏極至源極電壓(Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：660mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：430pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

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