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BSM35GB120DN2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Half Bridge1
數(shù)量：: 702
說明：: IGBT 模塊 1200V 35A DUAL

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BSM35GB120DN2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：500
安裝風(fēng)格：Screw
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
封裝形式：Half Bridge1
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：280 W
柵極—射極漏泄電流：150 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
集電極—射極飽和電壓：3.2 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Half Bridge Module
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM35GB120DN2的詳細(xì)信息，包括BSM35GB120DN2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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