點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下： 工廠包裝數(shù)量：500 安裝風格：Screw 柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V 封裝形式：Half Bridge1 最大工作溫度：+ 150 C 功率耗散：200 W 柵極—射極漏泄電流：180 nA 在25 C的連續(xù)集電極電流：38 A 集電極—射極飽和電壓：2.5 V 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V 配置：Half Bridge Module 產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules RoHS：否 產(chǎn)品種類：IGBT 模塊 制造商：Infineon
點擊下載PDF參數(shù)資料
