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BSC018NE2LSATMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TDSON-8-1
數(shù)量：
 17416  
說明：
 MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
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BSC018NE2LSATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），69W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2800 pF @ 12 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：39 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：29A（Ta），100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：25 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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